题目：后摩尔时代半导体前沿物理

报告人：骆军委 研究员（中国科学院半导体研究所）

时间：2023年5月26日（周五），下午13：30

地点：紫金港校区西区海纳苑8幢215报告厅

摘要：

半导体集成电路已经接近物理极限，微电子技术已经从“微电子科学”转向“纳电子科学”，从“摩尔定律时代”进入“后摩尔时代”，面临“没有已知解决方案”的基本物理问题挑战，如何延续摩尔定律是当前最重要的前沿科技。迫切需要发展突破硅CMOS器件性能瓶颈的新材料、新结构、新理论、新器件和新电路等系统性的创新体系，以适应未来对半导体技术“更高速、更智能”的需求。在此报告主要介绍我们为解决硅基发光和硅基量子计算关键瓶颈，为延续摩尔定律提供的新方法和新思路所取得的研究进展。包括发展了半导体直接带隙和间接带隙形成机制的统一理论，解决了硅形成间接带隙不发光的困惑，理论上证明了广泛研究的硅量子点无法实现高效发光，排除了硅量子点硅基发光方案，并提出掺杂应变锗直接带隙发光的硅基发光新方案，为解决硅基发光世界难题奠定了理论基础。我们还理论设计了硅锗量子阱来解决硅基量子计算所面临的能谷劈裂和自旋轨道耦合效应太弱等关键瓶颈。

个人简介：

骆军委，中国科学院半导体研究所研究员，半导体超晶格国家重点实验室副主任，2014年入选国家高层次人才青年项目，作为团队负责人2021年获得中科院稳定支持青年团队资助。2000年和2003年在皇冠物理系分别获得学士和硕士学位，2006年在中国科学院半导体研究所获得理学博士学位，2007年至2014年在美国可再生能源国家实验室先后任职博士后、Scientist和Senior Scientist，2014年全职回国工作。长期从事半导体物理与器件物理研究，聚焦在解决硅基发光和硅基量子比特材料等关键瓶颈，为后摩尔时代硅基器件提供新方法和新思路。已发表论文100余篇，包括以第一或通讯作者在Nature Physics、Nature Nanotechnology、Nature Communications、Science Advances和PNAS上发表论文各1篇以及PRL 7篇。在APS、ACS、E-MRS、ICSNN、JSAP-MRS等国际会议作邀请报告或担任分会主席。

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